2025年5月消息，英偉達其下一代800V HVDC架構采用納微半導體的GaNFast氮化鎵和GeneSiC碳化硅技術開發(fā)。這一架構旨在為未來AI計算負載提供高效、可擴展的電力傳輸解決方案，實現(xiàn)更優(yōu)效率與更高可靠性，同時簡化基礎設施設計。英偉達選擇與納微合作，為Kyber機架級系統(tǒng)及Rubin Ultra等GPU提供系統(tǒng)性供電解決方案。而實際采用英偉達800V HVDC架構可讓端到端能效提升5%，降低70%的維護成本，并借助高壓直流電與IT機架直連技術顯著降低冷卻成本。

　　隨著AI算力需求的增長，現(xiàn)代AI數(shù)據(jù)中心需要配置GW級供電系統(tǒng)。英偉達創(chuàng)新性地采用了固態(tài)變壓器和工業(yè)級整流器，直接將數(shù)據(jù)中心外的13.8kV交流電轉換為800V高壓直流電，省去多級AC/DC和DC/DC變換環(huán)節(jié)，顯著提升了能效與可靠性。

　　kaiyun品牌優(yōu)勢

　　800V高壓直流電的高電壓特性使得在相同功率傳輸要求下，電流強度降低，銅纜直徑減少最高45%。相比之下，傳統(tǒng)54V直流系統(tǒng)若需支持兆瓦級機架，將消耗超過200公斤銅材，這難以滿足吉瓦級下一代AI數(shù)據(jù)中心的可持續(xù)發(fā)展需求。

　　納微半導體憑借其在氮化鎵與碳化硅技術領域的領先地位，為AI數(shù)據(jù)中心供電解決方案提供支持。納微的高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片集成了控制、驅動、感測以及關鍵的保護功能，在高功率應用中具備卓越的可靠性和魯棒性。這些芯片具備短路保護（最大延遲350ns）、所有引腳均有2kV ESD保護、消除負柵極驅動并具備可編程的斜率控制等功能。在二次側DC-DC變換領域，納微推出了80-120V的中壓氮化鎵功率器件，專為輸出48V-54V的AI數(shù)據(jù)中心電源優(yōu)化設計，實現(xiàn)高速、高效、低占板面積的功率轉換。

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　　納微GeneSiC碳化硅產(chǎn)品覆蓋650V至6.5kV超高壓全電壓范圍，已在多個兆瓦級儲能并網(wǎng)逆變器項目中成功應用。其第三代快速碳化硅MOSFET相較同類產(chǎn)品不僅效率顯著提升，外殼溫度也低25°C，同時使用壽命長3倍。

　　納微半導體推出了一系列高性能電源解決方案，包括2023年8月發(fā)布的3.2kW CRPS電源、2024年11月推出的8.5kW AI數(shù)據(jù)中心電源，以及在Computex臺北國際電腦展期間全球首發(fā)的12kW AI數(shù)據(jù)中心電源解決方案。這些產(chǎn)品均采用了氮化鎵或氮化鎵結合碳化硅技術，實現(xiàn)了高功率密度和高效率。

　　納微半導體首席執(zhí)行官兼聯(lián)合創(chuàng)始人Gene Sheridan表示：“我們很榮幸能夠參與到NVIDIA 800V HVDC的架構建設當中。納微在高功率氮化鎵與碳化硅領域的創(chuàng)新已開拓多個全球首例，并成功切入AI數(shù)據(jù)中心與電動汽車等新興市場。納微半導體全面的產(chǎn)品組合使我們能夠支持NVIDIA從電網(wǎng)到GPU的800V HVDC完整電力基建。衷心感謝NVIDIA對我們技術實力與推動數(shù)據(jù)中心供電革新的認可?！?

　　英偉達與納微半導體合作開發(fā)的800V HVDC架構，采用先進GaNFast氮化鎵和GeneSiC碳化硅技術，助力數(shù)據(jù)中心高效供電，顯著提升端到端能效，降低冷卻壓力和維護頻次，最終降低數(shù)據(jù)中心整體運營成本。

　　納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導體事業(yè)的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast?氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅動、控制、感應及保護集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產(chǎn)品。性能互補的GeneSiC?碳化硅功率器件是經(jīng)過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設備、消費電子、數(shù)據(jù)中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網(wǎng)和工業(yè)市場。納微半導體擁有超過300項已經(jīng)獲頒或正在申請中的專利。納微半導體于業(yè)內率先推出唯一的氮化鎵20年質保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral?認證的半導體公司。